任何一塊集成電路都是為完成一定的電特性功能而設(shè)計(jì)的單片模塊，IC測(cè)試就是集成電路的測(cè)試，就是運(yùn)用各種方法，檢測(cè)那些在制造過程中由于物理缺陷而引起的不符合要求的樣品。如果存在無缺陷的產(chǎn)品的話，集成電路的測(cè)試也就不需要了。由于實(shí)際的制作過程所帶來的以及材料本身或多或少都有的缺陷，因而無論怎樣完美的產(chǎn)品都會(huì)產(chǎn)生不良的個(gè)體，因而測(cè)試也就成為集成電路制造中不可缺少的工程之一。

IC測(cè)試一般分為物理性外觀測(cè)試（Visual Inspecting Test），IC功能測(cè)試（Functional Test）,化學(xué)腐蝕開蓋測(cè)試（De-Capsulation），可焊性測(cè)試（Solderbility Test），直流參數(shù)（電性能）測(cè)試（ElectricalTest）, 不損傷內(nèi)部連線測(cè)試（X-Ray），放射線物質(zhì)環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試（Rohs）以及失效分析（FA）驗(yàn)證測(cè)試。

一、IC電性能測(cè)試

模擬電路測(cè)試一般又分為以下兩類測(cè)試，第一類是直流特性測(cè)試，主要包括端子電壓特性、端子電流特性等；第二類是交流特性測(cè)試，這些交流特性和該電路完成的特定功能密切有關(guān)，比如一塊色處理電路中色解碼部分的色差信號(hào)輸出，色相位等參數(shù)也是很重要的交流測(cè)試項(xiàng)目。

數(shù)字電路測(cè)試也包含直流參數(shù)、開關(guān)參數(shù)和特殊功能的特殊參數(shù)等。需要通過利用掃描鏈輸入測(cè)試向量（test pattern）測(cè)試各個(gè)邏輯門、觸發(fā)器是否工作正常。常見直流參數(shù)如高（低）電平最大輸入電壓、高（低）電平輸入電流等。開關(guān)參數(shù)包含延遲時(shí)間、轉(zhuǎn)換時(shí)間、傳輸時(shí)間、導(dǎo)通時(shí)間等。觸發(fā)器特殊的最大時(shí)鐘頻率、最小時(shí)鐘脈沖寬度等。還有噪聲參數(shù)等等。

從生產(chǎn)流程方面的測(cè)試講，IC測(cè)試一般又分為芯片測(cè)試、成品測(cè)試和檢驗(yàn)測(cè)試，除非特別需要，芯片測(cè)試一般只進(jìn)行直流測(cè)試，而成品測(cè)試既可以有交流測(cè)試，也可以有直流測(cè)試，在更多的情況下，這兩種測(cè)試都有。在一條量產(chǎn)的生產(chǎn)線上，檢驗(yàn)測(cè)試尤為重要，它一般進(jìn)行和成品測(cè)試一樣的內(nèi)容，它是代表用戶對(duì)即將入庫的成品進(jìn)行檢驗(yàn)，體現(xiàn)了對(duì)實(shí)物質(zhì)量以及制造部門工作質(zhì)量的監(jiān)督。

二、IC測(cè)試過程

IC測(cè)試一般它分為兩大部分：前道工序和后道工序。

前道工序

（1）將粗糙的硅礦石轉(zhuǎn)變成高純度的單晶硅。

（2）在Wafer上制造各種IC元件。

（3）測(cè)試Wafer上的IC芯片。

后道工序

（1）對(duì)Wafer（晶圓）劃片（進(jìn)行切割）

（2）對(duì)IC芯片進(jìn)行封裝和測(cè)試。想了解更多電力電子器件研發(fā)制造、封裝測(cè)試和應(yīng)用銷售的高新技術(shù)，請(qǐng)持續(xù)關(guān)注江蘇索力德普半導(dǎo)體科技有限公司